京都大学は3月25日、京都大学大学院工学研究科の金子光顕助教、木本恒暢教授らによる研究グループが、独自構造のトランジスターを搭載したSiC（シリコンカーバイド）半導体を開発し、シリコン（Si）半導体では不可能な摂氏350度という高温での基本動作の実証に成功したと発表した。 現在広く使われてい…
京都大学は3月25日、京都大学大学院工学研究科の金子光顕助教、木本恒暢教授らによる研究グループが、独自構造のトランジスターを搭載したSiC（シリコンカーバイド）半導体を開発し、シリコン（Si）半導体では不可能な摂氏350度という高温での基本動作の実証に成功したと発表した。 現在広く使われてい…