基板温度の設定だけで「GaAsBi」の非晶質層と単結晶層を作り分け、広島大などが成功 （マイナビ）

広島大学と愛媛大学は3月28日、ビスマス(Bi)系III-V族半導体半金属混晶の1つで新奇な「ヒ化ガリウムビスマス(GaAsBi)」を分子線エピタキシー(MBE)法によって生成する際、半導体基板の温度を、180℃と250℃にそれぞれ設定するだけで、非晶質層と単結晶層を作り分けることに成功したと発表した。 同成果…