東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路を持つ「両方向読み出し方式」を提案し、これにより磁化反転電流としては従来経路より10倍程度のディスターブ低減が可能になったことを発表した。 同成果は、理科大 工学部電…
東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路を持つ「両方向読み出し方式」を提案し、これにより磁化反転電流としては従来経路より10倍程度のディスターブ低減が可能になったことを発表した。 同成果は、理科大 工学部電…