ロームが開発、オン抵抗2割低減した「パワー半導体」の全容 （ニュースイッチ）

ロームはインバーター回路の電力損失低減に適したパワー半導体を開発した。600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間（trr）とオン抵抗の低減を両立した7機種を追加。1月に月産10万個体制で量産を始めた。消…