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STマイクロエレクトロニクスは3月1日、積層ウェハ・プロセスによる裏面照射型(BSI)ピクセル・アレイ(672×804)を搭載した高解像度インダイレクトToF(Time-of-Flight:iToF)測距センサ「VD55H1」を発表した。 独自のピクセル・アーキテクチャと40nm積層ウェハ技術を使用した製造プロセスにより、低消費電…