東京大学の郭建麗大学院生と三村秀和准教授らは、水をかけながらアクリル板でシリコン基板を研磨し、原子レベルの平坦度を実現した。薬液や研磨砥粒（とりゅう）を使わずに、表面粗さ0・037ナノメートル（ナノは10億分の1）を達成した。ランニングコストは水代と装置の電気代のみ。磨きと洗浄を兼ねた…
東京大学の郭建麗大学院生と三村秀和准教授らは、水をかけながらアクリル板でシリコン基板を研磨し、原子レベルの平坦度を実現した。薬液や研磨砥粒（とりゅう）を使わずに、表面粗さ0・037ナノメートル（ナノは10億分の1）を達成した。ランニングコストは水代と装置の電気代のみ。磨きと洗浄を兼ねた…