東芝デバイス＆ストレージは化合物半導体の市場開拓を加速する。２０２１～２５年度にかけて、化合物半導体を含むパワー半導体領域の研究開発に１０００億円を投資し、技術優位性の強化と製品展開の加速を図る。炭化ケイ素（ＳｉＣ）では車載開拓に注力するほか、１５０ミリメートルから２００ミリメートル製造ラインの構築を推進する。窒化ガリウム（ＧａＮ）ではＧａＮ単体デバイスを開発し、データセンター市場を掘り起こす。子会社のエピタキシャル成長装置を活用したり、昭和電工からウエハーの長期供給を受けたりすることで生産性向上を図り、市場開拓のスピードを上げる。
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