産総研、フッ化物をトンネル障壁に用いた磁気メモリ素子の開発に成功 （マイナビ）

産業技術総合研究所(産総研)は1月28日、フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子(MTJ素子)を開発し、磁気メモリ(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピュー…