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東京大学(東大)は2月25日、SiC半導体結晶基板の表面に単一原子層のグラフェンを作製し、その上にカルシウム(Ca)を蒸着して加熱処理してできた試料を冷やすと、超伝導を発現することを発見したと発表した。 同成果は、東大 理学系研究科 物理学専攻の遠山晴子大学院生、同・秋山了太助教、同・遠藤由大…