laed=独Infineon Technologiesは、SiC/GaNパワー半導体の前工程生産能力を増強することを目的に、20億ユーロ以上を投じ、マレーシアのクリム工場に第3製造棟を新設することを2月17日(欧州時間)に発表した。 独Infineon Technologiesは、ワイドバンドギャップ・パワー半導体(SiC/GaN)の前工程生産能力を…
laed=独Infineon Technologiesは、SiC/GaNパワー半導体の前工程生産能力を増強することを目的に、20億ユーロ以上を投じ、マレーシアのクリム工場に第3製造棟を新設することを2月17日(欧州時間)に発表した。 独Infineon Technologiesは、ワイドバンドギャップ・パワー半導体(SiC/GaN)の前工程生産能力を…