過渡電圧6kVに対応、過渡電圧耐性は±100V/ナノ秒 STマイクロエレクトロニクスは2022年2月、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。 新製品の外観 出所：STマイクロエレクト…
過渡電圧6kVに対応、過渡電圧耐性は±100V/ナノ秒 STマイクロエレクトロニクスは2022年2月、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。 新製品の外観 出所：STマイクロエレクト…