産業技術総合研究所は次世代パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）を一体化した半導体の試作に成功した。電力変換に用いるパワー半導体は電子機器や電気自動車（EV）の省エネに不可欠だ。特性が異なる2つの材料を組み合わせて、高い変換効率と信頼性を両立させる…
産業技術総合研究所は次世代パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）を一体化した半導体の試作に成功した。電力変換に用いるパワー半導体は電子機器や電気自動車（EV）の省エネに不可欠だ。特性が異なる2つの材料を組み合わせて、高い変換効率と信頼性を両立させる…