YPtBiの成膜条件を最適化、最大4.1のスピンホール角を実現 東京工業大学工学院電気電子系のファム・ナムハイ准教授と白倉孝典大学院生（博士後期課程）および、キオクシアメモリ技術研究所デバイス技術研究開発センターの近藤剛主幹を中心とした共同研究チームは2022年2月、スピン軌道トルク（SOT）方…
YPtBiの成膜条件を最適化、最大4.1のスピンホール角を実現 東京工業大学工学院電気電子系のファム・ナムハイ准教授と白倉孝典大学院生（博士後期課程）および、キオクシアメモリ技術研究所デバイス技術研究開発センターの近藤剛主幹を中心とした共同研究チームは2022年2月、スピン軌道トルク（SOT）方…