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電源回路でこれまで使いこなしてきたIGBT。これをSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETに置き換える最大の目的は、変換効率が高く、外形寸法が小さい電源回路を実現することにあるだろう。SiCパワーMOSFETを使えば、電力損失を大幅に低減できることに加えて、スイッチング周波数を高められるからだ。 しかし…